4Tj4cFlmRGh tech.huanqiu.comarticle英伟达黄仁勋：2029年内存全面供给过剩可能性不大/e3pmh164r/e3pmtmdvg<article><section data-type="rtext"><p>【环球网科技综合报道】10月23日，据外媒CNBC报道，英伟达首席执行官黄仁勋日前接受媒体采访时，针对近期存储芯片板块股价集体抛售、市场热议的“2029年内存储产能过剩”风险作出回应，他认为到2029年内存芯片出现全面供给过剩的概率并不高。</p><p><i class="pic-con"><img data-alt="" src="//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/22b696605b4365a2c9ba1c3b8b6c5fc2u1.png?imageView2/2/w/1260" /></i></p><p>外媒报道称，近期存储芯片板块承压下行，市场不少投资者担忧，随着各大厂商扩产，大量新增产能将在2029年集中释放，AI带来的存储超级周期就此终结，行业会陷入供大于求的红海竞争。</p> <adv-loader __attr__inner="7004636" __attr__style="width: auto;position: relative;float: left;border: 1px solid #ebebeb; padding: 20px;overflow: hidden;margin: 10px 30px 40px 0;"></adv-loader> <p>黄仁勋提出，AI业务对内存的消耗几乎没有天花板，“内存的一大好处就是永远不嫌多”，高带宽内存HBM未来数年仍将维持强劲需求。英伟达已经率先将手机使用的LPDDR内存引入数据中心，实现能效翻倍，未来还将继续大规模采购该类存储产品。</p><p>不过，行业分析师对此并未达成统一意见，部分机构认为AI专用HBM与消费级DRAM供需逻辑并不相同，普通存储芯片依旧存在过剩风险。（旺旺）</p></section></article>1792723912235环球网版权作品，未经书面授权，严禁转载或镜像，违者将被追究法律责任。责编：王楠环球网179272391223511[]{"email":"wangnan@huanqiu.com","name":"王楠"}