4TbmTLS9nw6 tech.huanqiu.comarticleMemSilicon宣布首款1Gb RRAM芯片完成流片，采用1T4R存储结构/e3pmh164r/e3pmtmdvg<article><section data-type="rtext"><p>【环球网科技综合报道】10月14日消息，铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，正在推进验证。</p><p><i class="pic-con"><img data-alt="" src="//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/62a46e661d96ec688e9b8abd9610b4d8u1.png?imageView2/2/w/1260" /></i></p><p>据悉，该芯片采用28nm CMOS工艺平台和1T4R单元结构，单芯片容量1Gb，密度达到30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路，在大容量、高密度与高速读取之间实现了协同突破，为片上高密度大容量新型非易失存储应用提供了具有国际竞争力的解决方案。</p> <adv-loader __attr__inner="7004636" __attr__style="width: auto;position: relative;float: left;border: 1px solid #ebebeb; padding: 20px;overflow: hidden;margin: 10px 30px 40px 0;"></adv-loader> <p>据介绍，围绕1TnR结构大容量RRAM芯片的核心技术挑战，本次推出的“泰山一号”芯片在电路与架构层面首次提出并验证了系列自主创新技术：引入负压设计与统一复位电路方法，显著抑制阵列漏电流，降低芯片功耗并提升可靠性；设计了多电压域字线驱动电路，实现高、低压读写路径的彻底解耦，并提出自适应保护偏置电压技术，有效降低误写风险，全面提升写入可靠性；开发片上自适应跟随读取电路，攻克1TnR 在Gb级大容量下面临的读可靠性与读良率难题，配合硬件纠错电路，构建了“电路自适应＋硬件纠错”的双重读保障机制。（青山）</p></section></article>1791964655842环球网版权作品，未经书面授权，严禁转载或镜像，违者将被追究法律责任。责编：秦耳环球网179196465584211[]//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/62a46e661d96ec688e9b8abd9610b4d8u1.png{"email":"linmengxue@huanqiu.com","name":"林梦雪"}