4SfhTjkR1sp tech.huanqiu.comarticle三星公布全新3D存储路线图，全面发力AI存储基础设施/e3pmh164r/e3pmtmdvg<article><section data-type="rtext"><p>【环球网科技综合报道】8月5日消息，据businesstimes援引彭博社报道称，三星电子正式公布了面向人工智能基础设施的全新3D存储路线图。此次发布涵盖了zHBM、zNAND-O两款概念产品，以及首款采用晶圆键合技术的V10 BV-NAND。</p><p><i class="pic-con"><img data-alt="" src="//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/1b35954b9ebcc222bf22bbae086012aau1.png?imageView2/2/w/1260" /></i></p><p>外媒称，三星正试图通过展示其在性能和能效上的跨越式提升，在与SK海力士和美光科技的激烈竞争中，确立自身作为AI时代端到端基础设施供应商的领先地位。</p> <adv-loader __attr__inner="7004636" __attr__style="width: auto;position: relative;float: left;border: 1px solid #ebebeb; padding: 20px;overflow: hidden;margin: 10px 30px 40px 0;"></adv-loader> <p>据介绍，最受瞩目的当属颠覆传统封装架构的zHBM技术。与目前业界普遍采用的将HBM与AI芯片并排集成的2.5D封装不同，zHBM将高带宽内存直接垂直堆叠于AI加速器芯片之上。这一设计大幅缩短了数据传输距离，三星预计其性能将达到下一代HBM5的8倍。结合下一代晶圆键合技术，zHBM的内存密度可达HBM5的10倍以上，能效提升3倍，热阻降低逾50%，并支持客制化IP集成。尽管三星已于今年2月率先实现HBM4量产并于5月交付HBM4E样品，但zHBM及HBM5的具体量产时间表尚未公布，预计量产时间在2029年前后。</p><p>在NAND闪存领域，三星同步推出了zNAND-O解决方案与V10 BV-NAND架构。zNAND-O专为边缘AI环境优化，通过高空间效率与低延迟特性，支持端侧设备中的实时大规模数据处理，目标量产时间为2028年。同时，三星发布了采用全新晶圆键合架构的V10 BV-NAND，该产品堆叠层数超过400层，存储密度较上一代V9提升约58%，读写与I/O性能均获得显著改善，为未来的AI系统提供大容量存储支撑。</p><p>除了前沿硬件技术，三星还系统性展示了其全栈AI内存与存储产品组合，包括LPDDR5X-PIM存算一体芯片以及面向AI数据中心的PM1763等企业级存储解决方案。</p><p>目前，近万亿美元规模的AI存储市场竞争已进入白热化阶段，三星此次集中亮出技术底牌，旨在加速追赶在AI内存领域占据先发优势的竞争对手，抢占利润丰厚的数据中心订单。（青云）</p></section></article>1785917735055环球网版权作品，未经书面授权，严禁转载或镜像，违者将被追究法律责任。责编：秦耳环球网178591773505511[]//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/1b35954b9ebcc222bf22bbae086012aau1.png{"email":"qiner@huanqiu.com","name":"秦耳"}