4SbNCxRyPJ9 tech.huanqiu.comarticle机构预测：2027年DRAM供给持续紧缺，NAND Flash转趋宽松/e3pmh164r/e3pmtmdvg<article><section data-type="rtext"><p>【环球网科技综合报道】7月31日消息，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2027年存储器需求仍由AI应用主导，DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲，CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加，市场维持供给紧张格局，价格走势偏强。NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下，2027年下半年供给将趋向宽松，价格可能面临修正压力。</p><p><i class="pic-con"><img data-alt="" src="//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/93febe6011445751e9d63a85e2456bcfu1.png?imageView2/2/w/1260" /></i></p><p>TrendForce集邦咨询表示，为应对AI基础建设扩张带来的中长期需求，各大DRAM原厂已提早启动产能扩充计划。短期内，供应商积极提高既有厂区产能，同时加速制程升级、降低产品转换频率，以支撑2026年整体位元供给扩张。</p> <adv-loader __attr__inner="7004636" __attr__style="width: auto;position: relative;float: left;border: 1px solid #ebebeb; padding: 20px;overflow: hidden;margin: 10px 30px 40px 0;"></adv-loader> <p>2027年尽管有数家供应商规划新产能陆续投产，但受限于建厂工期、设备移机、原物料等前置作业约束，预计多数新厂投片放量落于2027年下半年，考量生产周期，显著的产出贡献则于2028年发酵。此外，由于HBM制造流程所需的晶圆投入远高于一般型DRAM（conventional DRAM），导致新增投片量无法等比例转换为有效位元产出。上述因素将限制2027年整体DRAM位元供给成长幅度，市场供应能力持续紧缩。</p><p>TrendForce集邦咨询指出，2026年DRAM供应与需求位元的差距落在-1%至-2%间，2027年由于需求增速超越供给成长，供需缺口将进一步扩大。不过，2026年主要CSP资本支出维持在历史高点。2027年存储器价格若仍处于高位，在整体CSP资本支出的占比将会上升。</p><p>此外，2026年NAND Flash原厂主要通过制程升级增加位元供给，由于AI Server、高容量Enterprise SSD需求旺盛，供应商持续提高Enterprise SSD的供给比重，以避免消费端需求平淡可能造成的获利风险。2027年随着各大厂加速升级至高层数产品，以及新厂产能逐步释放，预计位元供给的成长幅度将超越2026年，市场产出规模迎来显著扩张。（青山）</p></section></article>1785467245146环球网版权作品，未经书面授权，严禁转载或镜像，违者将被追究法律责任。责编：王楠环球网178546724514611[]{"email":"wangnan@huanqiu.com","name":"王楠"}