4SU6vBESHd6 tech.huanqiu.comarticle外媒:SK海力士否认收购英特尔俄亥俄州工厂/e3pmh164r/e3pmtmdvg【环球网科技综合报道】7月22日消息,据businesskorea报道称,SK海力士正式发布澄清声明,否认了市场关于其将收购英特尔位于美国俄亥俄州半导体生产设施的猜测。SK海力士在声明中明确表示,公司既未推进也未决定收购英特尔位于俄亥俄州的工厂及土地资产。此前,部分媒体报道称SK海力士正与英特尔就收购该园区展开谈判,目标是在五年内实现美国本土存储半导体生产。对此,SK海力士回应称相关报道毫无根据。 此次收购传闻的背景与英特尔近期的业绩表现及其投资计划调整密切相关。英特尔正在俄亥俄州新奥尔巴尼建设两座大型半导体工厂,但由于管理困难及资金压力,近期推迟了原定的投产计划。根据英特尔最新规划,该园区首座工厂的建设将推迟至2030年完成,并预计于2031年左右开始运营。在否认特定收购计划的同时,SK海力士补充表示,公司会持续评估各种投资和收购机会以服务于业务发展。这一表态被业界解读为SK海力士旨在保持战略选择的余地,以应对快速变化的半导体市场环境,但这并不意味着其当前有收购该特定晶圆厂的意图。目前,SK海力士在美国正式推进的生产投资项目是位于印第安纳州西拉法叶的一座先进封装工厂。该工厂投资约38.7亿美元,主要用于建设高带宽存储器(HBM)后端加工和研发设施。作为后端加工中心,该工厂负责堆叠和连接已生产的芯片,这与在晶圆上刻蚀电路的前端加工工厂有着本质区别。(青云)1784711107178环球网版权作品,未经书面授权,严禁转载或镜像,违者将被追究法律责任。责编:秦耳环球网178471110717811[]//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/8a21849fea4167506339591c183570e3u1.png{"email":"qiner@huanqiu.com","name":"秦耳"}
【环球网科技综合报道】7月22日消息,据businesskorea报道称,SK海力士正式发布澄清声明,否认了市场关于其将收购英特尔位于美国俄亥俄州半导体生产设施的猜测。SK海力士在声明中明确表示,公司既未推进也未决定收购英特尔位于俄亥俄州的工厂及土地资产。此前,部分媒体报道称SK海力士正与英特尔就收购该园区展开谈判,目标是在五年内实现美国本土存储半导体生产。对此,SK海力士回应称相关报道毫无根据。 此次收购传闻的背景与英特尔近期的业绩表现及其投资计划调整密切相关。英特尔正在俄亥俄州新奥尔巴尼建设两座大型半导体工厂,但由于管理困难及资金压力,近期推迟了原定的投产计划。根据英特尔最新规划,该园区首座工厂的建设将推迟至2030年完成,并预计于2031年左右开始运营。在否认特定收购计划的同时,SK海力士补充表示,公司会持续评估各种投资和收购机会以服务于业务发展。这一表态被业界解读为SK海力士旨在保持战略选择的余地,以应对快速变化的半导体市场环境,但这并不意味着其当前有收购该特定晶圆厂的意图。目前,SK海力士在美国正式推进的生产投资项目是位于印第安纳州西拉法叶的一座先进封装工厂。该工厂投资约38.7亿美元,主要用于建设高带宽存储器(HBM)后端加工和研发设施。作为后端加工中心,该工厂负责堆叠和连接已生产的芯片,这与在晶圆上刻蚀电路的前端加工工厂有着本质区别。(青云)