4RBZ5hTbUma tech.huanqiu.comarticle三星电子加速研发下一代高带宽内存，消息称首批HBM4E将于5月生产/e3pmh164r/e3pmtmdvg<article><section data-type="rtext"><p>【环球网科技综合报道】4月16日消息，三星电子正全力推进其下一代高带宽内存（HBM）产品的研发进程，力求在高端人工智能内存市场进一步巩固自身的优势。据ChosunBiz报道，三星电子计划最早于2026年5月生产出首批符合英伟达标准的HBM4E样品。</p><p><i class="pic-con"><img data-alt="" src="//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/60c460b87092fc3c1ca8f534b2b5797cu1.png?imageView2/2/w/1260" /></i></p><p>业内人士透露，三星有着明确且紧凑的时间规划。其目标是在下月中旬之前，让代工部门成功生产出HBM4E核心逻辑芯片的样品。这些核心逻辑芯片将与专为HBM4E设计的DRAM芯片进行封装，从而制成首批工程样品。在完成内部严格的性能评估，且各项指标达到预期水平后，这些样品将被送往英伟达进行进一步验证。</p> <adv-loader __attr__inner="7004636" __attr__style="width: auto;position: relative;float: left;border: 1px solid #ebebeb; padding: 20px;overflow: hidden;margin: 10px 30px 40px 0;"></adv-loader> <p>在技术规格方面，三星电子的HBM4E与前代HBM4一样，将采用1c nm DRAM Die和4nm Base Die。不过，三星在工艺细节上进行了精心改进和优化，旨在提升产品的整体性能和竞争力。</p><p>三星晶圆代工部门承担着关键的生产任务。按照计划，该部门需在5月中旬之前完成HBM4E性能样品Base Die的生产工作，随后交付给存储器业务部门，以开展后续的3D封装工序。（青山）</p></section></article>1776325283954环球网版权作品，未经书面授权，严禁转载或镜像，违者将被追究法律责任。责编：秦耳环球网177632528395411[]//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/60c460b87092fc3c1ca8f534b2b5797cu1.png{"email":"qiner@huanqiu.com","name":"秦耳"}