4QxOoP599WZ tech.huanqiu.comarticle三星电子西安晶圆厂成功量产 236 层 3D NAND 闪存/e3pmh164r/e3pmtmdvg<article><section data-type="rtext"><p>【环球网科技综合报道】3月30日消息，据韩媒ETNEWS报道，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂近日完成关键工艺制程升级，第八代V-NAND（V8，236层堆叠）3D NAND闪存正式实现量产。</p><p><i class="pic-con"><img data-alt="" src="//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/1d31a0f78fd5519e13f878b2e25e92a8u1.png?imageView2/2/w/1260" /></i></p><p>西安晶圆厂是三星在韩国本土以外重要的半导体生产基地，长期致力于先进存储芯片研发与制造。本次制程升级工作自2024年启动，在原有V6（128层）NAND生产线基础上完成技术改造，全面提升产品性能、生产效率与产能竞争力，可更好满足人工智能时代高速增长的高性能存储设备需求。</p> <adv-loader __attr__inner="7004636" __attr__style="width: auto;position: relative;float: left;border: 1px solid #ebebeb; padding: 20px;overflow: hidden;margin: 10px 30px 40px 0;"></adv-loader> <p>据了解，在成功量产V8 NAND闪存后，三星西安晶圆厂已明确下一阶段技术目标，将聚焦286层堆叠的V9 NAND闪存研发与产能建设，相关生产线布局于X2工厂，计划于2026年内完成产线过渡并实现量产，持续推动3D NAND闪存技术向更高堆叠、更高性能、更高效率方向发展。（纯钧）</p></section></article>1774850445755环球网版权作品，未经书面授权，严禁转载或镜像，违者将被追究法律责任。责编：林梦雪环球网177485044575511[]//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/1d31a0f78fd5519e13f878b2e25e92a8u1.png{"email":"linmengxue@huanqiu.com","name":"林梦雪"}