4QdO5JyVD9g tech.huanqiu.comarticleNAND晶圆价格单月大涨25%,存储行业供需失衡引发关注/e3pmh164r/e3pmtmdvg【环球网科技综合报道】3月6日消息,据Tom's Hardware报道,市场研究机构DigiTimes近日发布的2026年2月存储市场数据显示,全球存储现货市场价格整体上行,其中NAND闪存晶圆价格单月飙升25%,成为当月涨幅最大的品类。供需缺口持续扩大的背景下,存储行业价格波动加剧,相关机构警示,若此趋势延续,行业或面临周期性发展风险。数据显示,2月存储产品价格呈现差异化上涨态势。DRAM产品中,DDR5 16G(2Gx8)芯片平均价格涨至39美元,环比上涨7.4%;DDR4市场表现分化,16Gb(2Gx8)微涨0.26%至78.10美元,8Gb(1Gx8)上涨6.8%至33美元,相较1月DRAM产品普遍20%至30%的涨幅,DDR4涨势明显放缓;DDR3 4Gb(512Mx8)芯片价格也上涨7.5%,达到5.70美元。 NAND闪存市场价格涨幅更为显著,1Tb TLC闪存晶圆价格单月上涨25%至25美元,成为本月涨幅最高的存储产品。值得注意的是,这一上涨并非短期现象,自2025年10月以来,NAND闪存价格已出现大幅攀升,其中1Tb QLC/TLC闪存晶圆价格涨幅约三倍,512Gb TLC价格涨幅接近五倍。春节假期曾让2月中旬的存储市场交易活动有所降温,但假期结束后,现货市场迅速恢复活力,价格继续保持上行趋势。机构分析认为,当前DDR4等产品涨幅放缓,更多是季节性因素导致,并非市场供需压力得到缓解。除现货价格外,存储合约价格的市场预期也大幅上调。TrendForce在2月初上调2026年第一季度存储合约价格预测,传统DRAM合约价格环比涨幅从此前预计的55%至60%提高至90%至95%,PC DRAM价格预计环比翻倍以上,将创下季度涨幅新纪录;NAND闪存合约价格预计环比上涨55%至60%,同样高于此前33%至38%的预测值。业内分析指出,本轮存储价格持续上涨的核心驱动力,源于人工智能基础设施建设带来的需求激增。服务器DRAM和高带宽存储器的旺盛需求持续吸纳行业产能,直接导致传统DRAM和消费级NAND市场供应趋紧。自2025年末起,北美云服务提供商已提前锁定大量存储产品订单和产能,使得其他买家的供应优先级不断后移,即便头部PC厂商,其库存水平也在持续下降。在NAND闪存市场,产能结构调整进一步加剧了供应紧张。为追求更高利润,存储厂商将更多产能转向企业级SSD产品,减少了面向模组厂商的晶圆供应,这一产能分配变化持续推高了整个NAND市场的价格,也让消费级市场面临更大的供应压力。(纯钧)1772766971181环球网版权作品,未经书面授权,严禁转载或镜像,违者将被追究法律责任。责编:林梦雪环球网177276697118111[]//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/d27147f5e748821b81d37bbc6746b2d0u1.png{"email":"linmengxue@huanqiu.com","name":"林梦雪"}
【环球网科技综合报道】3月6日消息,据Tom's Hardware报道,市场研究机构DigiTimes近日发布的2026年2月存储市场数据显示,全球存储现货市场价格整体上行,其中NAND闪存晶圆价格单月飙升25%,成为当月涨幅最大的品类。供需缺口持续扩大的背景下,存储行业价格波动加剧,相关机构警示,若此趋势延续,行业或面临周期性发展风险。数据显示,2月存储产品价格呈现差异化上涨态势。DRAM产品中,DDR5 16G(2Gx8)芯片平均价格涨至39美元,环比上涨7.4%;DDR4市场表现分化,16Gb(2Gx8)微涨0.26%至78.10美元,8Gb(1Gx8)上涨6.8%至33美元,相较1月DRAM产品普遍20%至30%的涨幅,DDR4涨势明显放缓;DDR3 4Gb(512Mx8)芯片价格也上涨7.5%,达到5.70美元。 NAND闪存市场价格涨幅更为显著,1Tb TLC闪存晶圆价格单月上涨25%至25美元,成为本月涨幅最高的存储产品。值得注意的是,这一上涨并非短期现象,自2025年10月以来,NAND闪存价格已出现大幅攀升,其中1Tb QLC/TLC闪存晶圆价格涨幅约三倍,512Gb TLC价格涨幅接近五倍。春节假期曾让2月中旬的存储市场交易活动有所降温,但假期结束后,现货市场迅速恢复活力,价格继续保持上行趋势。机构分析认为,当前DDR4等产品涨幅放缓,更多是季节性因素导致,并非市场供需压力得到缓解。除现货价格外,存储合约价格的市场预期也大幅上调。TrendForce在2月初上调2026年第一季度存储合约价格预测,传统DRAM合约价格环比涨幅从此前预计的55%至60%提高至90%至95%,PC DRAM价格预计环比翻倍以上,将创下季度涨幅新纪录;NAND闪存合约价格预计环比上涨55%至60%,同样高于此前33%至38%的预测值。业内分析指出,本轮存储价格持续上涨的核心驱动力,源于人工智能基础设施建设带来的需求激增。服务器DRAM和高带宽存储器的旺盛需求持续吸纳行业产能,直接导致传统DRAM和消费级NAND市场供应趋紧。自2025年末起,北美云服务提供商已提前锁定大量存储产品订单和产能,使得其他买家的供应优先级不断后移,即便头部PC厂商,其库存水平也在持续下降。在NAND闪存市场,产能结构调整进一步加剧了供应紧张。为追求更高利润,存储厂商将更多产能转向企业级SSD产品,减少了面向模组厂商的晶圆供应,这一产能分配变化持续推高了整个NAND市场的价格,也让消费级市场面临更大的供应压力。(纯钧)