4PsItHsWHRt tech.huanqiu.comarticle美光 1000 亿美元加码内存制造，纽约州超级晶圆厂 1 月 16 日动工/e3pmh164r/e3pmtmdvg<article><section data-type="rtext"><p>【环球网科技综合报道】1月8日消息，据Investing报道，全球存储巨头美光科技（Micron）近日宣布，其位于美国纽约州奥农达加县克莱镇的大型 DRAM 内存晶圆厂集群项目，将于当地时间 2026 年 1 月 16 日正式破土动工。该项目总投资高达 1000 亿美元，创下纽约州有史以来单笔私人投资的最大规模纪录。</p><p><i class="pic-con"><img data-alt="" src="//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/1375880af98bf89047f263f652d15422u1.png?imageView2/2/w/1260" /></i></p><p>作为全球半导体产业的重要布局，美光此次投建的晶圆厂集群聚焦 DRAM 内存核心产能。DRAM 内存作为计算机、服务器、智能手机等各类电子设备的关键核心部件，市场需求持续旺盛。美光方面表示，新项目将采用业界领先的制造工艺，打造高度集成化、智能化的生产体系，旨在进一步提升全球内存供应的稳定性与技术迭代速度。</p> <adv-loader __attr__inner="7004636" __attr__style="width: auto;position: relative;float: left;border: 1px solid #ebebeb; padding: 20px;overflow: hidden;margin: 10px 30px 40px 0;"></adv-loader> <p>据了解，项目完工后，克莱镇晶圆厂集群将具备大规模、高精度的 DRAM 内存生产能力。目前，项目前期筹备工作已全面就绪，各项配套设施建设正稳步推进。（纯钧）</p></section></article>1767864953351环球网版权作品，未经书面授权，严禁转载或镜像，违者将被追究法律责任。责编：郑湘琪环球网176786495335111[]//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/1375880af98bf89047f263f652d15422u1.png{"email":"zhengxiangqi@huanqiu.com","name":"郑湘琪"}