4PCmpfNEMFr tech.huanqiu.comarticle三星押注1c DRAM晶圆:2026年剑指月产20万片/e3pmh164r/e3pmtmdvg【环球网科技综合报道】11月19日消息,据trendforce报道称,三星电子将于2026年底把新一代1c DRAM(16nm级第六代)月产能提升至20万片晶圆,约占其DRAM总产量的三分之一,规模创公司历史扩产纪录。外媒形容其为“三步走”路线图,现已全面启动:2025年底先达6万片/月,2026年二季度再增8万片,四季度追加6万片,每个节点均以“量产就绪”为标准。 据ETNews报道,新增产能将通过对现有产线进行工艺升级与平泽P4工厂的新投资共同完成;同时,已暂停两年的平泽P5产线亦全面复工,计划2028年投产,专司下一代HBM与1c DRAM,为后续技术迭代预留空间。三星表示,AI服务器、边缘计算及高端PC对高带宽、低功耗DRAM的“提前锁单”是此次激进扩产的核心动力。据外媒测算,三星目前DRAM总产能约65–70万片/月,若2026年1c DRAM达到20万片/月,将贡献公司DRAM产出近30%,比2022年半导体景气周期新增的13万片更高。据ZDNet报道,三星竞争对手SK海力士亦公布对应时间表:2025年启动1c DRAM量产,2026年通用DRAM产出的一半以上切换至1c节点,并同步构建LPDDR、GDDR完整产品线。(青云)1763542499973环球网版权作品,未经书面授权,严禁转载或镜像,违者将被追究法律责任。责编:秦耳环球网176354249997311[]//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/a4ee4ae6c43a77f3b128cc20f8799a3fu1.png{"email":"qiner@huanqiu.com","name":"秦耳"}
【环球网科技综合报道】11月19日消息,据trendforce报道称,三星电子将于2026年底把新一代1c DRAM(16nm级第六代)月产能提升至20万片晶圆,约占其DRAM总产量的三分之一,规模创公司历史扩产纪录。外媒形容其为“三步走”路线图,现已全面启动:2025年底先达6万片/月,2026年二季度再增8万片,四季度追加6万片,每个节点均以“量产就绪”为标准。 据ETNews报道,新增产能将通过对现有产线进行工艺升级与平泽P4工厂的新投资共同完成;同时,已暂停两年的平泽P5产线亦全面复工,计划2028年投产,专司下一代HBM与1c DRAM,为后续技术迭代预留空间。三星表示,AI服务器、边缘计算及高端PC对高带宽、低功耗DRAM的“提前锁单”是此次激进扩产的核心动力。据外媒测算,三星目前DRAM总产能约65–70万片/月,若2026年1c DRAM达到20万片/月,将贡献公司DRAM产出近30%,比2022年半导体景气周期新增的13万片更高。据ZDNet报道,三星竞争对手SK海力士亦公布对应时间表:2025年启动1c DRAM量产,2026年通用DRAM产出的一半以上切换至1c节点,并同步构建LPDDR、GDDR完整产品线。(青云)