4P9JJhyNLfK tech.huanqiu.comarticle4英寸金刚石“自支撑”超薄膜快速制备成功实现/e3pmh164r/e3pmtmdvg<article><section data-type="rtext"><p>【环球网科技综合报道】11月15日消息，根据中国科学院官网信息，金刚石具有优异的导热和绝缘等性能，成为新一代大功率芯片和器件散热的关键材料。将芯片直接与金刚石键合来降低结温，被视为高性能芯片及3D封装的理想热管理方案。通常，金刚石薄膜合成是以Si作为基板材料，合成后通过化学刻蚀去除Si基板进而得到金刚石“自支撑”薄膜。</p><p>此前，中国科学院宁波材料技术与工程研究所研发团队，制备出超低翘曲的4英寸金刚石“自支撑”超薄膜。</p><p><i class="pic-con"><img data-alt="" src="https://img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/f0ef4d70098faa243579ec6754aa04feu1.png?imageView2/2/w/1260&xtimestamp=1763188368&rand=l3gppXHVK3946W18&sign=cdefc130890f12874464da9078ec91f2" /></i></p><p>近期，该团队在金刚石超薄膜高效剥离技术上再次取得进展，发展出4英寸级超低翘曲金刚石超薄膜的“自剥离”技术。通过对金刚石薄膜初期形核、生长的精准调控与工艺创新，合成后的4英寸金刚石膜（厚度<100μm），经切槽后，在无需任何外力辅助条件下，仅凭金刚石薄膜自身重力，便可实现其与Si基板无损伤、完美分离，制备出平坦的“自支撑”超薄膜。该技术使剥离时间由原来刻蚀需要的数小时缩短到几分钟，降低了成本、提高了速度，克服了化学刻蚀的带来环境危害，开辟了高导热、金刚石“自支撑”超薄膜的高效绿色制造的新途径。</p> <adv-loader __attr__inner="7004636" __attr__style="width: auto;position: relative;float: left;border: 1px solid #ebebeb; padding: 20px;overflow: hidden;margin: 10px 30px 40px 0;"></adv-loader> <p>同时，团队将915MHz大功率MPCVD的金刚石沉积面积扩展到12英寸，实现了低应力、超低翘曲4英寸金刚石薄膜的单机5片同时合成。结合上述高效“自剥离”技术，为“自支撑”金刚石薄膜的工业化批量生产奠定了装备与工艺基础。（青云）</p></section></article>1763180598536环球网版权作品，未经书面授权，严禁转载或镜像，违者将被追究法律责任。责编：连丽敏环球网176318059853611[]//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/f0ef4d70098faa243579ec6754aa04feu1.png{"email":"lianlimin@huanqiu.com","name":"连丽敏"}