4OkMxlPHOMY tech.huanqiu.comarticle三星电子斥资1.1万亿韩元引进High-NA EUV光刻机/e3pmh164r/e3pmtmdvg<article><section data-type="rtext"><p>【环球网科技综合报道】10月16日消息，据KED Global报道，三星电子宣布一项重大投资计划，将投入约1.1万亿韩元引进两台最新的High-NA双级极紫外（EUV）光刻机，此举标志着该企业在下一代半导体芯片量产领域迈出关键一步。</p><p><i class="pic-con"><img data-alt="" src="//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/c61cd6fccef3a70a02d654be3fa63e4bu1.png?imageView2/2/w/1260" /></i></p><p>据业内人士披露，三星电子此前仅在京畿道园区部署过一台High-NA EUV设备，且主要用于研发环节。此次引进的两台设备则聚焦“产品量产”，是该企业首次将此类先进设备应用于量产场景。按照规划，三星电子将于今年内完成第一台设备的引进工作，明年上半年再引进第二台，逐步完善量产设备布局。</p> <adv-loader __attr__inner="7004636" __attr__style="width: auto;position: relative;float: left;border: 1px solid #ebebeb; padding: 20px;overflow: hidden;margin: 10px 30px 40px 0;"></adv-loader> <p>此次三星计划引进的设备为Twin Scan EXE:5200B，该设备属于0.55数值孔径（NA）的High-NA极紫外光刻系统，是TWINSCAN EXE:5000的升级版本。在技术性能上，它不仅进一步提升了对准精度，还大幅提高生产效率，被行业公认为生产下一代半导体芯片与高性能DRAM的核心必备设备。</p><p>与此前的NXE系统相比，Twin Scan EXE:5200B优势显著。其成像对比度提升40%，分辨率可达8纳米，能让芯片制造商通过单次曝光实现比TWINSCAN NXE系统精细1.7倍的电路刻蚀。这一技术突破可将晶体管密度提升至原来的2.9倍，在降低大规模生产工艺复杂性的同时，有效提高客户晶圆厂的晶圆产量，为半导体产业技术升级提供有力支撑。（纯钧）</p></section></article>1760583904190环球网版权作品，未经书面授权，严禁转载或镜像，违者将被追究法律责任。责编：代玉环球网176058390419011[]//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/c61cd6fccef3a70a02d654be3fa63e4bu1.png{"email":"daiyu@huanqiu.com","name":"代玉"}