4Mzg8ERvCs1 tech.huanqiu.comarticle消息称三星加速1c DRAM工艺量产LPDDR6内存 计划下半年供货高通/e3pmh164r/e3pn4gh77【环球网科技综合报道】6月7日消息,据外媒报道,三星电子设备解决方案(DS)部门副董事长全永铉宣布,三星将于今年下半年通过第六代“1c DRAM”工艺量产下一代LPDDR6内存,并计划向高通等科技巨头供货。外媒报道称,中国长鑫存储科技股份有限公司(CXMT)已完成LPDDR5X内存的开发阶段,正积极尝试缩小与三星之间的技术差距。业内观察人士推测,按照目前的速度,这家中国制造商最早可能在2026年就实现全面量产。三星因此不甘落后,加快了自主研发LPDDR6内存技术的步伐。 据悉,1c DRAM是DRAM制造的第六代工艺节点,相比前代技术,其晶体管密度更高、能效比更优。三星通过“设计变更”战略,将1c DRAM的冷态良率提升至50%,热态良率达60%-70%,并计划在韩国华城工厂建设新生产线,扩大产能。LPDDR6内存基于1c工艺开发,带宽和功耗表现显著提升,可满足AI模型训练、移动终端算力升级等场景对内存性能的严苛需求。据行业消息,高通下一代旗舰芯片“骁龙8 Elite Gen2”将首发支持LPDDR6内存,并计划于今年9月23日的骁龙峰会上亮相。随着AI应用向终端设备下沉,LPDDR6内存的带宽与能效成为关键竞争力。三星计划通过向高通等厂商供货,进一步渗透智能手机、笔记本电脑及AI服务器市场,强化其技术壁垒。此外,三星还在HBM4等高端存储产品中部署1c DRAM技术,构建覆盖AI全场景的内存解决方案。目前,三星已制定1c DRAM扩产计划,预计最早于今年年底完成韩国华城工厂生产线建设。此外,该公司正同步开发DDR与LPDDR用1c DRAM,打破传统开发顺序,加速商业化进程。(青山)1749267811577环球网版权作品,未经书面授权,严禁转载或镜像,违者将被追究法律责任。责编:林梦雪环球网174926781157711[]{"email":"linmengxue@huanqiu.com","name":"林梦雪"}
【环球网科技综合报道】6月7日消息,据外媒报道,三星电子设备解决方案(DS)部门副董事长全永铉宣布,三星将于今年下半年通过第六代“1c DRAM”工艺量产下一代LPDDR6内存,并计划向高通等科技巨头供货。外媒报道称,中国长鑫存储科技股份有限公司(CXMT)已完成LPDDR5X内存的开发阶段,正积极尝试缩小与三星之间的技术差距。业内观察人士推测,按照目前的速度,这家中国制造商最早可能在2026年就实现全面量产。三星因此不甘落后,加快了自主研发LPDDR6内存技术的步伐。 据悉,1c DRAM是DRAM制造的第六代工艺节点,相比前代技术,其晶体管密度更高、能效比更优。三星通过“设计变更”战略,将1c DRAM的冷态良率提升至50%,热态良率达60%-70%,并计划在韩国华城工厂建设新生产线,扩大产能。LPDDR6内存基于1c工艺开发,带宽和功耗表现显著提升,可满足AI模型训练、移动终端算力升级等场景对内存性能的严苛需求。据行业消息,高通下一代旗舰芯片“骁龙8 Elite Gen2”将首发支持LPDDR6内存,并计划于今年9月23日的骁龙峰会上亮相。随着AI应用向终端设备下沉,LPDDR6内存的带宽与能效成为关键竞争力。三星计划通过向高通等厂商供货,进一步渗透智能手机、笔记本电脑及AI服务器市场,强化其技术壁垒。此外,三星还在HBM4等高端存储产品中部署1c DRAM技术,构建覆盖AI全场景的内存解决方案。目前,三星已制定1c DRAM扩产计划,预计最早于今年年底完成韩国华城工厂生产线建设。此外,该公司正同步开发DDR与LPDDR用1c DRAM,打破传统开发顺序,加速商业化进程。(青山)